在生活中，您可能接触过各种电子产品，然后您可能不知道其某些组件，例如其中可能包含的TOPCon钝化，然后让编辑人员带领所有人学习TOPCon钝化。
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晶体硅太阳能电池的两个发展方向是降低成本和提高效率。
随着光伏行业竞争的激烈，很难继续降低成本，但是效率仍有很大提升空间。
重组损失是影响电池效率的关键因素。
对于传统的Al-BSF电池结构和主流PERC电池，电池背面的金属/半导体界面缺陷密度相对较高，界面重组是效率损失的重要原因。
为了减少接口重组损失，需要进一步减小接触面积。
但是，接触面积与电池总面积之比具有下限，否则将引起过大的接触电阻，从而导致填充系数（FF）降低和电池转换效率降低。
另一种方法是利用结到载体的选择性通过特性（有效地改善一种类型的载体的传输，同时阻止另一种类型的载体的通过），这可以大大减少金属/半导体界面的复合。
TOPCon是基于选择性载流子原理的隧道氧化物被动接触（隧道氧化物钝化接触）太阳能电池技术。
它的电池结构是N型硅衬底电池，在电池背面准备了一层超薄氧化硅。
之后，再沉积一薄层掺杂硅，两者共同形成钝化接触结构，有效地减少了表面复合和金属接触的复合，为进一步提高N-PERT电池的转换效率提供了更大的空间。
这种钝化接触在两个方面优于其他传统的电池结构：（1）晶体硅和金属接触之间的钝化层减少了金属/半导体界面的复合。
（2）多重性可能是由隧道效应引起的。
该效应移至金属接触，但由于载流子选择性，少数载流子无法从晶体硅移至金属接触。
这种钝化接触可以使用本征非晶硅或超薄氧化硅作为钝化层。
基于非晶硅的钝化接触是异质结单元结构或HIT；基于SiO2的钝化接触和多晶硅的叠加结构是TOPCon技术。
由于异质结结构目前在工艺中具有温度限制，因此用多晶硅/ SiOx替代非晶硅引起了许多研究人员和公司的关注。
TOPCon的正面与常规N型太阳能电池或N-PERT太阳能电池之间没有本质区别。
电池的核心技术是背面钝化接触。
硅晶片的背面由一层超薄氧化硅（1〜2nm）和一层掺磷的微晶与非晶混合硅薄膜组成。
钝化性能通过退火过程被激活，并且硅膜的结晶度在退火过程中发生变化，从微晶非晶混合相变为多晶。
iVoc在850℃的退火温度下退火。
710 mV，J0在9-13 fA / cm2时，显示出极好的钝化接触结构的钝化性能，制备的电池效率超过23％。
N型前结钝化接触太阳能电池的当前世界纪录（25.8％）由Fraunhofer-ISE研究所保持。
在电池的背面准备了超薄的隧道氧化层和高掺杂多晶硅薄层，它们一起形成钝化接触结构，从而为硅晶片的背面提供了良好的表面钝化。
薄氧化层允许多载流子电子隧穿到多晶硅层中，同时阻止少数载流子空穴的复合，然后电子在多晶硅层中横向传输并被金属收集，从而大大降低了金属接触复合电流和增加电池的开路电压和短路电流。
相信通过阅读以上内容，每个人都对TOPCon钝化有一个初步的了解。
同时，我希望每个人都能在学习过程中进行总结，以不断提高他们的设计水平。
