假设电流流过二维方形，定义了长度和宽度相等的横向多边形，流过偏置方向的电流与电流大小的比值（载波N的函数和幅度）充电电荷Q）是方电阻。
薄层电阻被整合到厚度中以获得电阻率，并且薄层电阻仅与材料有关。
从广义上讲，它被抽象成静电场的半球。
微元件的电阻大小也称为方形电阻。
薄层电阻具有任何尺寸的方 - 边电阻相同的特性。
无论边长为1m还是0.1m，它们的方块电阻都是相同的，因此方块电阻仅与导电膜的厚度和电阻率有关。
有关。
方阻计算公式：R =ρL/ S，ρ是材料的电阻率，单位是欧姆米（Ω.m），L是长度，单位是米（m），S是横截面积单位为平方米（m2当长度和宽度相等时，R =ρ/ h，h为薄膜厚度。
材料的方阻越大，器件的固有电阻越大，离子注入或导电薄膜的过程监控，主要关注薄层电阻的绝对值和均匀性，离子注入方形电阻反映剂量，导电薄膜薄层电阻反映厚度，薄层电阻是一个界面电路设计人员和工艺操作人员。
电路设计人员可以根据工艺库将实际电阻值转换为薄层电阻，工艺操作人员可以根据薄层电阻确定实际电阻值对于薄膜：厚度越大，电阻越小。
厚度越小，电阻越大。
1.探针方法测试原理下图显示了与ITO薄膜层平行的电流，其中：d是薄膜厚度，I是电流，L1是电流方向的薄膜长度，L2是垂直于薄膜厚度的薄膜当前。
层长度。
当电流如图所示流过方形导电膜层时，层的电阻是ρ是导电膜的电阻率的地方，并且对于给定的膜层，ρ和d可以被认为是恒定值。
当L1 = L2时，它是方形薄膜层，其电阻值都是固定值ρ/ d。
这是薄层电阻的定义，其中R□以欧姆/□（Ω/□）为单位; ρ是欧姆（Ω）; d以米（m）为单位。
可以看出薄层电阻的特性：对于给定的薄膜层，电阻雹随所用方形的尺寸而变化，并且与薄膜材料的厚度无关。
2.影响探头测试探头电阻测量精度的因素：（1）探头边缘到材料边缘的距离要求大于探头的间距，一般来说要求超过10次。
（2）要求探头之间的距离相等，否则将产生相等的比例测试误差。
（3）理论上，探针尖端与导电膜接触的点越小越好。
然而，在实际应用中，由于针电极容易破坏待测导电膜的材料，因此通常使用圆形探头。
