<br> <br> 1.确定门G.将万用表转到R×1k文件，测量三个引脚之间的电阻。
如果脚和它的脚的电阻是无限的，并且在更换笔之后仍然是无限的，则证明该引脚是G极，因为它与另外两个引脚绝缘。
2.从源极S和漏极D确定在源极和漏极之间存在PN结。
因此，可以根据PN结的正电阻和负电阻之间的差异来识别S极和D极。
通过交换计方法测量电阻两次，其中电阻值低（通常为几千欧姆到一万欧姆）并且初级电阻是一次。
此时，黑色表笔是S极，红色表笔连接到D极。
3.测量漏源导通电阻RDS（on）短接G-S极，选择万用表的R×1档，将黑色表连接到S极，红色表连接到D极。
电阻应为几欧姆至十欧姆。
由于测试条件不同，测得的RDS（on）值高于手册中给出的典型值。
例如，使用500型万用表R×1文件测量IRFPC50 VMOS管，并且RDS（on）= 3.2W，其大于0.58W（典型值）。
4.检查跨导，将万用表置于R×1k（或R×100），红色笔放在S极，黑色笔放到D极，手动螺丝刀接触栅格，针应有显着性偏转，偏转越大，管子跨导越高。
双栅FET也称为双栅MOS晶体管。
它是一个带有两个控制杆的管子。
在结构上，它可以被认为是两个单栅FET的串联连接，并且添加了第二栅极g2，其具有一定的屏蔽效果，使得漏极和第一栅极之间的反馈电容变小。
如图所示，双栅FET高频放大器具有高频调制的彩色电视。
双栅极FET高频放大器在结构上被认为是级联放大器的形式。
值得注意的是，栅极g2的电压可以改变FET的正向传输特性曲线的斜率，从而改变高频放大器的增益。
